顯影（Development）是一種利用顯影液來溶解因光刻工藝而軟化的光刻膠的工藝。顯影方法可分為三種，包括：水坑式 顯影（Puddle Development），將顯影液倒入晶圓中心，并進(jìn)行低速旋轉(zhuǎn)；浸沒式顯影（Tank Development），將多個(gè)晶圓同時(shí)浸入顯影液中；噴淋式顯影（Spray Development），將顯影液噴灑到晶圓上。
2.電鍍工藝：形成用于鍵合的金屬層
電鍍是將電解質(zhì)溶液中的金屬離子還原為金屬并沉積在晶圓表面的過程，此過程是需要通過外部提供的電子進(jìn)行還原反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的。在晶圓級封裝中，采用電鍍工藝形成厚金屬層。厚金屬層可充當(dāng)實(shí)現(xiàn)電氣連接的金屬引線，或是焊接處的凸點(diǎn)。如圖9所示，陽極上的金屬會被氧化成離子，并向外部電路釋放電子。在陽極處被氧化的及存在于溶液中的金屬離子可接收電子，在經(jīng)過還原反應(yīng)后成為金屬。在晶圓級封裝的電鍍工藝中，陰極為晶圓。陽極由作為電鍍層的金屬制成，但也可使用如鉑金的不溶性電極（Insoluble Electrode）。如果陽極板由作為鍍層的金屬制成，金屬離子就會從陽極板上溶解并持續(xù)擴(kuò)散，以保持溶液中離子濃度的一致性。如果使用不溶性電極，則必須定期補(bǔ)充溶液中因沉積到晶圓表面而消耗的金屬離子，以維持金屬離子濃度。
在放置晶圓電鍍設(shè)備時(shí)，通常需確保晶圓的待鍍面朝下，同時(shí)將陽極置于電解質(zhì)溶液中。當(dāng)電解質(zhì)溶液流向晶圓并與晶圓表面發(fā)生強(qiáng)力碰撞時(shí)，就會發(fā)生電鍍。此時(shí)，由光刻膠形成的電路圖案會與待鍍晶圓上的電解質(zhì)溶液接觸。電子分布在晶圓邊緣的電鍍設(shè)備上，最終電解質(zhì)溶液中的金屬離子與光刻膠在晶圓上繪制的圖案相遇。隨后，電子與電解質(zhì)溶液中的金屬離子結(jié)合，在光刻膠繪制圖案的地方進(jìn)行還原反應(yīng)，形成金屬引線或凸點(diǎn)。
3.光刻膠去膠工藝和金屬刻蝕工藝：去除光刻膠
在所有使用光刻膠圖案的工藝步驟完成后，必須通過光刻膠去膠工藝來清除光刻膠。光刻膠去膠工藝是一種濕法工藝，采用一種被稱為剝離液（Stripper）的化學(xué)溶液，通過水坑式、浸沒式，或噴淋式等方法來實(shí)現(xiàn)。通過電鍍工藝形成金屬引線或凸點(diǎn)后，需清除因?yàn)R射形成的金屬薄膜。這是非常必要的一個(gè)步驟，因?yàn)槿绻蝗コ饘俦∧ぃ麄€(gè)晶圓都將被電氣連接從而導(dǎo)致短路。可采用濕刻蝕（Wet Etching）工藝去除金屬薄膜，以酸性刻蝕劑（Etchant）溶解金屬。這種工藝類似于光刻膠去膠工藝，隨著晶圓上的電路圖案變得越來越精細(xì)，水坑式方法也得到了更廣泛的應(yīng)用。
#濕法工藝#愛姆加電子設(shè)備
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