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晶圓是生產集成電路的載體和的材料，從沙子到晶圓再到芯片，需經歷復雜的工藝流程。晶圓(wafer)是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，即厚度在1mm以下的硅薄片。目前集成電路領域用的最多的晶圓材料是單晶硅片。

晶圓尺寸：8英寸、12英寸的晶圓直徑分別是200mm和300mm,晶圓可以制造的芯片數量與晶圓的尺寸和芯片的制程有關。制程是芯片上導線之間的距離，3nm制程即導線之間只有3nm，制程越小單位面積上可集成的導線就越多，功能就越強大。晶圓的材料、尺寸以及與芯片的關系共同決定了芯片性能、成本和產量。隨著半導體技術的進步，晶圓尺寸不斷增大，制程工藝不斷縮小，使得集成度更高、性能更好的芯片得以制造。

晶圓制作流程：沙子提純——多晶硅直拉法——單晶硅棒切割——晶圓光刻——芯片

COT(coater unit):  運用離心機原理，將光刻膠均勻涂布在晶圓表面的單元。

DEV(deveioper unit):主要是在曝光后，離心運動將顯影液均勻涂布到晶圓表面，使顯影液把需要的部分和不需要的部分區分開，去掉一部分感光劑（PR）后的圖像。

AD(adhesion unit):涂感光劑PR之前，增加膠膜和晶片之間的粘貼性能。

勻膠顯影機顯影工藝步驟：CS——CA——DEV——HP——CP——CS

勻膠顯影機勻膠工藝步驟：CS——CA——AD——COT——HP——CP——CS

全自動！高效率！勻膠顯影機產品特點:

Wafer size:2"-12";

涂膠（Coater）、顯影（Developer）、OVEN(HP+CP+HMDS);

設備實現全自動化生產；

模塊自帶暫停恢復功能；

伺服馬達配合運行速度更快精度更高，穩定性更好，噪音更低；速度可根據工藝要求實現多段速設置；

同片盒站每個晶圓（Wafer）可分別制定不同的工藝運行；

設備和各工位全封閉設計，不受外界環境干擾；

可獨立增加層流罩（FFU）,提升小環境潔凈度；

干濕分離，溫濕度控制系統選配（THC）;

有準用的膠瓶放置箱和廢氣回收裝置，防止膠液溢出及廢氣對現場環境影響；

涂膠機膠口采用日本進口注膠頭，膠量有保證；

維護省力，方便。