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全自動(dòng)蝕刻機(jī)：
　　單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠甚至在產(chǎn)生氣體(蝕刻反應(yīng)的副產(chǎn)品)的情況下通過振動(dòng)所述晶圓來排放氣體，并且還可防止所述氣體吸附在所述晶圓的表面上。此外，由于所述單片晶圓蝕刻設(shè)備可對(duì)所述晶圓的各個(gè)區(qū)域進(jìn)行直接加熱，所以甚至在由于蝕刻進(jìn)行的同時(shí)蝕刻溶劑從所述晶圓的中心朝向圓周方向移動(dòng)而導(dǎo)致蝕刻溫度從所述晶圓的中心朝向圓周方向逐漸增加的情況下，單片晶圓蝕刻設(shè)備可通過從圓周方向朝向所述晶圓的中心以溫度增加的方式進(jìn)行加熱來均衡地維持反應(yīng)溫度。因此所述單片晶圓蝕刻設(shè)備不僅能夠在所述晶圓的任何位置處維持均衡的蝕刻程度，并且還能夠提高平整度。

主要是蝕刻金屬膜等工藝：

晶圓尺寸（wafer size ）: 12inch

蝕刻腔體(Chamber): 2套

化學(xué)液體: H2SO4、HF、DMSO、NMP

單片晶圓蝕刻設(shè)備:

轉(zhuǎn)盤：所述轉(zhuǎn)盤具有穩(wěn)固地布置在其上的晶圓，并且所述轉(zhuǎn)盤的直徑小于所述晶圓的直徑；

噴嘴：噴嘴將蝕刻溶劑噴射到所述穩(wěn)固地布置在轉(zhuǎn)盤上的晶圓上；使所述轉(zhuǎn)盤旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)裝置；

振動(dòng)裝置，所述振動(dòng)裝置在蝕刻溶劑從所述噴嘴噴射期間振動(dòng)所述轉(zhuǎn)盤。