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晶圓封裝與后膜光刻膠(下)
厚膜光刻膠和光刻聚合物目前已廣泛應(yīng)用于先進(jìn)封裝技術(shù)中。焊接凸點(diǎn)需要很厚的光阻層和較高重復(fù)精度,但并不要求很陡的側(cè)壁傾角;金凸點(diǎn)和銅布線(xiàn)則要求中等厚度的光阻膜,而且對(duì)側(cè)壁的精度與傾角要求都很高。對(duì)于感光介電材料中的過(guò)孔而言,最好應(yīng)有傾斜的側(cè)壁傾角以便與介電層下的金屬焊盤(pán)保持良好接觸。
來(lái)源: | 作者:pmoe2a7d5 | 發(fā)布時(shí)間: 2024-01-23 | 16274 次瀏覽 | 分享到:

工藝中需要考慮的問(wèn)題 

  如果要使用厚膜光刻膠,那么涂敷、烘干與曝光等許多工藝參數(shù)都與通常的1um厚光阻材料不同,需要重新設(shè)定。在涂敷過(guò)程中,厚的光刻膠會(huì)在晶圓邊緣形成鋸齒形。可以用很多方法減少這種情況的發(fā)生,如多次涂敷且中速固化或者用溶劑將凸起部分軟化,然后再慢慢將其去掉等。BCB是一個(gè)特例,因?yàn)樗谕糠蟮骄A上面后會(huì)迅速固化。建議使用一種旋轉(zhuǎn)式密封罩如SUSS ACS 200涂敷系統(tǒng),這樣光阻材料就可以在固化前先散開(kāi)。與敞開(kāi)式滾涂方式相比這種方法只需要約一半的材料,可節(jié)省近50%,而且涂敷均勻性也有所增強(qiáng)。

  光阻層較厚時(shí)預(yù)烘會(huì)比較困難,而且溶劑揮發(fā)也比較慢。此時(shí)用干膜光阻材料如杜邦公司的MRC比較好一些,因?yàn)檫@種膜可以直接一層一層地貼于晶圓上。在特別厚的光阻層上不會(huì)使用BCB,所以溶劑很容易揮發(fā),因此預(yù)烘時(shí)只需離加熱板僅幾毫米即可獲得較高質(zhì)量的涂層分布。各種類(lèi)型的厚膜Novolak光阻材料的固化既困難又耗時(shí),通常美國(guó)使用AZ 4620,歐洲用AZ 4562,而日本則用TOK PMER P-LA900PMAZ LP。同樣,新的AZ 9260在涂敷后固化時(shí)所表現(xiàn)的性能與以前的產(chǎn)品都相同,在接觸到加熱板時(shí)其中的溶劑不會(huì)突然冒出來(lái),而是在光阻層中產(chǎn)生氣縫與氣泡。換句話(huà)說(shuō),溶劑應(yīng)充分排出,因?yàn)闅埩舻娜軇?huì)影響到側(cè)壁的垂直度而形成鼓肚形。厚度在30um以下的光阻層可在110溫度下通過(guò)幾個(gè)貼近式加熱板進(jìn)行預(yù)烘和固化,然后與加熱板直接接觸或離100um間隙保持57分鐘以進(jìn)行適度排氣。厚度超過(guò)30um的采用多次涂敷方式,每次涂敷均用約60的加熱板進(jìn)行固化。如果一次性涂敷30um以上,那么建議在60下固化1小時(shí)。

  光阻層越厚,所需曝光量也應(yīng)增加,但是不能無(wú)限地增加曝光強(qiáng)度,因?yàn)閺?qiáng)度超過(guò)400mW/cm2后會(huì)對(duì)很厚的正性光阻層造成損壞,這也許是因?yàn)楣庾璨牧线^(guò)熱造成的。不過(guò)也只有多次涂敷才會(huì)遇到這類(lèi)問(wèn)題,因?yàn)檎孀髻N近掩膜對(duì)位曝光時(shí)其強(qiáng)度不會(huì)超過(guò)100mW/cm2。Cyclotene是一種中等厚度的光敏負(fù)性聚合物,它能夠承受高強(qiáng)度曝光,但所需用量要隨曝光強(qiáng)度而增加,同樣強(qiáng)度在50100mW/cm2會(huì)比較理想。厚膜光刻膠的顯影時(shí)間比薄膜要長(zhǎng),而且正性光阻材料的顯影液濃度還要更高。一般的顯影時(shí)間為5分鐘,顯影液采用AZ 400 K和去離子水混合溶液,比例為1:3。攪拌顯影法應(yīng)該適用于度為

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